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G.T.O用缓冲保护电容器

Serie: CBB20
Gama del voltaje: 800～2000Vdc
Rango de capacitancia: 0.33uF~6uF
Temperatura de trabajo: -40～+85/105℃
Cargar la Vida: -
Solicitud: Protection of thyristors. Protection of gate turn-off thyristor (G.T.O.). Clamping (Secondary snubber)

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Introducción del Producto

■ Introducción del Producto

G.T.O 用缓冲保护/箝位电容器
应用
适用于G.T.O以及可控硅等开关器件的箝位和缓冲保护

产品描述:
●干式全固态结构；
●具有低的 ESR、ESL 和高的 dv/dt 特性；
●可承受很大的峰-峰值电流 Ipp 和高频有效值电流 Irms；

工艺特点
●金属化聚丙烯薄膜无感式卷绕；
●特殊的金属化镀层结构，可以有效的提高dv/dt 特性并消除交流电离；
额定电压: 800VDC, 1000VDC, 1300VDC, 2000VDC.
额定容量 0.33uF, 0.5uF, 1uF, 1.5uF, 2uF, 2.5uF, 3uF, 3.5uF, 4uF, 4.5uF, 5uF, 5.5uF, 6uF, 6.5uF

Conocimiento del producto

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Conocimiento del producto

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